Intel, ASML’nin ticari çip üretimine yönelik ilk High-NA EUV litografi sistemi olan Twinscan EXE:5200B’yi fabrikasına kurduğunu açıkladı. Sistem, Intel’in 14A üretim sürecinin geliştirilmesinde kilit rol oynayacak.

Intel, ASML’nin ticari çip üretimine yönelik ilk High-NA EUV litografi sistemi olan Twinscan EXE:5200B’yi fabrikasına kurduğunu açıkladı. Sistem, Intel’in 14A üretim sürecinin geliştirilmesinde kilit rol oynayacak.

Intel, yarı iletken üretiminde kritik bir eşiğin aşıldığını duyurdu. Şirket, ASML tarafından geliştirilen ve ticari kullanıma sunulan ilk High-NA (0,55 sayısal açıklık) EUV litografi makinesi olan Twinscan EXE:5200B’nin fabrika kurulumunu tamamladı.

Kabul testleri başarıyla sonuçlanan sistem, Intel’in 14A üretim sürecinin geliştirilmesinde aktif olarak kullanılacak.

Bu adım, High-NA EUV litografinin artık deneysel aşamadan çıkarak yüksek hacimli üretime geçmeye hazır olduğunu ortaya koyuyor. Intel 14A, kritik katmanlarında High-NA EUV kullanan dünyanın ilk üretim düğümü olacak.

Twinscan EXE:5200B, Intel’in 2023 yılında Oregon’daki Ar-Ge tesisine kurduğu birinci nesil EXE:5000 platformunun devamı niteliğinde. Ancak yeni sistem, performans ve hassasiyet açısından önemli sıçramalar sunuyor.

Makine, 8 nanometre çözünürlükte desenleme yapabiliyor. Bu sayede Low-NA EUV’nin 13 nm sınırının ötesine geçilirken, çoklu desenleme ihtiyacı da büyük ölçüde ortadan kalkıyor.

EXE:5200B, 50 mJ/cm² dozda saatte 175 wafer işleme kapasitesine ve 0,7 nm hizalama hassasiyetine ulaşıyor. Bu değerler, giderek küçülen geometrilerde üretim için kritik kabul ediliyor.

Yeni nesil tarayıcı, daha güçlü bir EUV ışık kaynağıyla donatıldı. Bu sayede yüksek dozda hızlı pozlama yapılırken, kontrastlı bir proses penceresi korunuyor. Aynı zamanda modern düğümlerde büyük sorun yaratan kenar pürüzlülüğü (LER) ve çizgi genişliği dalgalanmaları (LWR) önemli ölçüde azaltılıyor.

Intel ve ASML, yalnızca optik sistemleri değil, wafer stoklama ve taşıma altyapısını da baştan tasarladı. Wafer’ların saklanması, sıralanması ve makineye giriş-çıkış süreçlerini yöneten yeni sistem, hem verimlilik hem de desen doğruluğu açısından belirleyici bir rol üstleniyor.

Gelişmiş termal kontrol sistemi sayesinde wafer ve taşıyıcıların sıcaklığı sabit tutuluyor. Bu da mikroskobik genleşme ve büzülmelerden kaynaklanabilecek hizalama hatalarını azaltıyor. Sonuç olarak kusur oranları düşerken üretim verimi artıyor.

Isıl ve mekanik değişkenliğin minimize edilmesi, uzun üretim süreçlerinde sürüklenmeyi (drift) de azaltıyor. Böylece sistem daha kararlı çalışıyor ve sık kalibrasyon ihtiyacı ortadan kalkıyor. Bu kararlılık, 1 nm altı teknolojiler için hayati önem taşıyor.

Twinscan EXE:5200B, Intel açısından yalnızca yeni bir litografi aracı değil. Sistem, şirketin yarı iletken liderliğini yeniden kazanma hedefinin temel taşlarından biri olarak görülüyor.

Intel, bu makineden maksimum verim alabilmek için maske teknolojileri, aşındırma süreçleri, çözünürlük artırma teknikleri ve ölçüm altyapısını eş zamanlı olarak optimize ediyor.

Şirkete göre High-NA EUV araçları; daha esnek tasarım kuralları, daha az desenleme adımı, düşük maske sayısı ve daha kısa çevrim süreleri sayesinde üretimde ciddi avantaj sağlayacak. Intel ayrıca, High-NA EUV konusunda deneyim arttıkça, 1 nm altı dönemde gerektiğinde çoklu desenlemeyi verim kaybı yaşamadan devreye almayı hedefliyor. Haber Kaynağı: Community Intel