Çin’den çip ambargosuna karşı yeni adım: Yüzde 90 yerli EUV ışık kaynağı Çinli Langdao Silex, gelişmiş çip üretiminde kritik rol oynayan EUV ışık kaynağı prototipini tanıttı. Yüzde 90 yerlilik oranına ulaştığını açıklayan girişim, seri üretim için 3 ila 5 yıl hedefi koydu. Ancak prototipin tam bir litografi sistemine dönüşmesi için önemli teknik engellerin aşılması gerekiyor.

Gelişmiş yarı iletken üretiminde dışa bağımlılığını azaltmaya çalışan Çin, EUV teknolojisinin en zorlu bileşenlerinden birinde yeni bir prototip ortaya çıkardı. Langdao Silex’in geliştirdiği FlintNano LPP-OXXO adlı ışık kaynağı, 26’ncı Çin Uluslararası Endüstri Fuarı’nda sergilendi.

Şirket, temel bileşenlerin büyük bölümünü kendi araştırma ve geliştirme çalışmalarıyla ürettiğini belirtiyor. Açıklanan yaklaşık yüzde 90’lık yerlilik oranı, Çin’in ihracat kısıtlamalarıyla karşı karşıya olduğu çip ekipmanlarında yerli tedarik zinciri oluşturma çabası açısından dikkat çekiyor.

FlintNano LPP-OXXO, yüksek güçlü lazerlerle plazma oluşturulmasına dayanan LPP yöntemini kullanıyor. ASML’nin EUV sistemlerinde de yararlandığı bu yaklaşım, gelişmiş çiplerin üretiminde ihtiyaç duyulan çok kısa dalga boylu ışığın elde edilmesini sağlıyor.

Langdao Silex’in açıkladığı verilere göre prototipte 1.000 watt çıkış gücüne sahip bir lazer bulunuyor. Lazerin tekrarlama frekansı 1.000 ile 20.000 hertz arasında değişirken, enerji dönüşüm verimliliği yüzde 2’nin üzerinde gösteriliyor. Sistemin EUV ışık çıkışı ise en az 15 watt olarak açıklanıyor.

Buradaki 1.000 wattlık lazer gücü, doğrudan EUV ışık gücü anlamına gelmiyor. Ticari üretim açısından belirleyici olan EUV çıkışında prototip, birkaç yüz watt düzeyinde ve yüksek güvenilirlikle çalışan kaynakların gerisinde bulunuyor. ASML’nin 2018’den bu yana seri üretimde 250 wattlık EUV kaynakları kullanması ve 1.000 watt seviyesine yönelik çalışmalar yürütmesi, Çinli girişimin önündeki güç artırma ihtiyacını ortaya koyuyor.

Şirket, prototipin 100 saatin üzerinde kesintisiz çalışabildiğini bildiriyor. Teknik verilerde plazma boyutu 60 mikrometre, plazma kararlılığı yüzde 3 RMS ve enerji kararlılığı yaklaşık yüzde 5 olarak belirtiliyor. Langdao Silex temsilcilerine göre cihaz, silikon levhaların ışınlandığı testlerde kullanılabilecek seviyeye ulaştı. Bu aşama, ışık kaynağının geliştirilmesinde bir ilerleme anlamına gelse de yüksek hacimli çip üretimine hazır olduğu sonucunu taşımıyor.

Girişim, teknolojisini büyük ölçekli ticari üretime hazırlamak için 3 ila 5 yıllık bir süre öngörüyor. Bu takvimin gerçekleşmesi, çıkış gücünün artırılmasının yanı sıra sistemin uzun süre kararlı ve güvenilir biçimde çalışmasına bağlı olacak. Üstelik açıklanan hedef, ışık kaynağının geliştirilmesine ilişkin. Tam bir EUV litografi makinesi için ultra hassas optikler, silikon levhaları yüksek doğrulukla hareket ettiren mekanizmalar ve bütün bileşenleri eş zamanlı çalıştıran kontrol sistemleri de gerekiyor.

ASML’nin yüz binlerce bileşenden oluşan EUV makineleri, 800’ü aşkın iş ortağının katkısıyla geliştiriliyor. Bu nedenle yerli bir ışık kaynağı üretmek, Hollandalı şirketin sunduğu bütünleşik litografi sistemlerinin yerini tek başına doldurmuyor.

Çin’in daha olgun DUV teknolojisinde bile rekabeti güçlendirmeye çalışması, EUV alanındaki hedefin büyüklüğünü gösteriyor. Bazı değerlendirmelerde, koşulların uygun ilerlemesi halinde dahi ticari kullanıma hazır yerli bir EUV sisteminin geliştirilmesinin 8 ila 10 yıl sürebileceği öne sürülüyor. FlintNano LPP-OXXO, bu uzun sürecin kritik bir bileşenine odaklanıyor. Prototipin Çin’in çip üretim kapasitesine etkisini ise açıklanan yerlilik oranından çok, ticari üretimde ulaşacağı güç, dayanıklılık ve diğer sistemlerle uyumu belirleyecek.