Samsung Advanced Institute of Techonology araştırmacıları, yarı iletkenlerde kullanılabilecek yeni bir materyal keşfettiklerini açıkladı. 'Amorf Bor Nitrür(a-BN)' ismi verilen yeni materyalin yeni nesil yarı iletkenlerin gelişmesini hızlandırabileceği belirtildi.

Nature dergisinde yayınlan çalışma kapsamında araştırmacılar, yeni keşfettikleri amorf bor nitrürün düzensiz molekül yapısıyla bor ve nitrojen atomlarını içerdiğini belirtti.

Yeni materyalin beyaz grafenden elde edildiğini ancak farklı moleküler yapısının amorf bor nitrürü kendine has bir hale getirdiğini söyleyen Samsung Advanced Institute of Techonology araştırmacısı Hyeon-Jin Shin, yaptığı açıklamada "Grafenin silikon temelli yarıiletken işlemlerle uyumluluğunu artırmak için yarıiletken alt katmanlarda büyüyen ince ölçekli grafenin 400 dereceden düşük bir sıcaklıkta uygulanması gerekiyor. Ayrıca grafen uygulamalarını yarı iletkenlerin ötesine taşımak için de durmaksızın çalışıyoruz." ifadelerini kullandı.

Araştırmacılar, Cambridge Üniversitesi ortaklığıyla keşfettikleri 'Amorf Bor Nitrür(a-BN)' isimli yeni materyalin yeni nesil yarı iletkenlerin gelişmesini hızlandırabileceğini kaydetti.